Toggle navigation
norsk
English
English
norsk
English
Login
Toggle navigation
View Item
Home
Fakultet for informasjonsteknologi og elektroteknikk (IE)
Institutt for elektroniske systemer
View Item
Home
Fakultet for informasjonsteknologi og elektroteknikk (IE)
Institutt for elektroniske systemer
View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Modeling of Drain Current and Intrinsic Capacitances in Nanoscale Double-Gate and Gate-All-Around MOSFETs
Børli, Håkon
Doctoral thesis
View/
Open
127654_FULLTEXT02.pdf (3.854Mb)
127654_FULLTEXT01.pdf (Locked)
URI
http://hdl.handle.net/11250/2368840
Date
2008
Metadata
Show full item record
Collections
Institutt for elektroniske systemer
[2351]
Publisher
Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Fakultet for informasjonsteknologi, matematikk og elektroteknikk, Institutt for elektronikk og telekommunikasjon
Series
Doktoravhandlinger ved NTNU, 1503-8181; 2008:240
Search Archive
This Collection
Browse
Archive
Communities & Collections
By Issue Date
Authors
Titles
Subjects
Document Types
Journals
This Collection
By Issue Date
Authors
Titles
Subjects
Document Types
Journals
My Account
Login
Statistics
View Usage Statistics