Modeling of Drain Current and Intrinsic Capacitances in Nanoscale Double-Gate and Gate-All-Around MOSFETs

dc.contributor.author	Børli, Håkon	nb_NO
dc.date.accessioned	2014-12-19T13:42:42Z
dc.date.accessioned	2015-12-22T11:39:56Z
dc.date.available	2014-12-19T13:42:42Z
dc.date.available	2015-12-22T11:39:56Z
dc.date.created	2008-12-09	nb_NO
dc.date.issued	2008	nb_NO
dc.identifier	127654	nb_NO
dc.identifier.isbn	978-82-471-1172-7	nb_NO
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11250/2368840
dc.language	eng	nb_NO
dc.publisher	Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Fakultet for informasjonsteknologi, matematikk og elektroteknikk, Institutt for elektronikk og telekommunikasjon	nb_NO
dc.relation.ispartofseries	Doktoravhandlinger ved NTNU, 1503-8181; 2008:240	nb_NO
dc.title	Modeling of Drain Current and Intrinsic Capacitances in Nanoscale Double-Gate and Gate-All-Around MOSFETs	nb_NO
dc.type	Doctoral thesis	nb_NO
dc.contributor.department	Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Fakultet for informasjonsteknologi, matematikk og elektroteknikk, Institutt for elektronikk og telekommunikasjon	nb_NO