Toggle navigation
norsk
English
norsk
norsk
English
Logg inn
Toggle navigation
Vis innførsel
Hjem
Fakultet for informasjonsteknologi og elektroteknikk (IE)
Institutt for elektroniske systemer
Vis innførsel
Hjem
Fakultet for informasjonsteknologi og elektroteknikk (IE)
Institutt for elektroniske systemer
Vis innførsel
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Modeling of Drain Current and Intrinsic Capacitances in Nanoscale Double-Gate and Gate-All-Around MOSFETs
Børli, Håkon
Doctoral thesis
Åpne
127654_FULLTEXT02.pdf (3.854Mb)
127654_FULLTEXT01.pdf (Låst)
Permanent lenke
http://hdl.handle.net/11250/2368840
Utgivelsesdato
2008
Metadata
Vis full innførsel
Samlinger
Institutt for elektroniske systemer
[2350]
Utgiver
Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Fakultet for informasjonsteknologi, matematikk og elektroteknikk, Institutt for elektronikk og telekommunikasjon
Serie
Doktoravhandlinger ved NTNU, 1503-8181; 2008:240
Hele arkivet
Denne samlingen
Bla i
Hele arkivet
Delarkiv og samlinger
Utgivelsesdato
Forfattere
Titler
Emneord
Dokumenttyper
Tidsskrifter
Denne samlingen
Utgivelsesdato
Forfattere
Titler
Emneord
Dokumenttyper
Tidsskrifter
Min side
Logg inn
Statistikk
Besøksstatistikk