dc.contributor.advisor | Olavsbråten, Morten | nb_NO |
dc.contributor.author | Sjue, Espen | nb_NO |
dc.date.accessioned | 2014-12-19T13:44:47Z | |
dc.date.accessioned | 2015-12-22T11:42:54Z | |
dc.date.available | 2014-12-19T13:44:47Z | |
dc.date.available | 2015-12-22T11:42:54Z | |
dc.date.created | 2010-09-10 | nb_NO |
dc.date.issued | 2006 | nb_NO |
dc.identifier | 350450 | nb_NO |
dc.identifier | ntnudaim:3262 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11250/2369624 | |
dc.description.abstract | Arbeidet med oppgaven gikk ut på å studere ulike kalibreringsmetoder for nettverksanalysator, utarbeidelse av testkort med kalibreringskomponenter. Målinger av DC- og AC-oppførselen til transistoren, for så å benytte programmet Agilent ADS og TOM-modellen til å lage en datamodell for denne transistoren. Det ble også utarbeidet en metode for hvordan man kan gå frem for å utarbeide en datamodell for en transistor. Arbeidet resulterte i en transistormodell som viste tilsynelatende gode egenskaper, og en metode for utarbeidelse av transistormodeller som fungerte godt for den utvalgte transistoren i denne oppgaven. | nb_NO |
dc.language | nor | nb_NO |
dc.publisher | Institutt for elektronikk og telekommunikasjon | nb_NO |
dc.subject | ntnudaim | no_NO |
dc.subject | SIE6 elektronikk | |
dc.subject | Signalbehandling og kommunikasjon | |
dc.title | Modellering av HEMT Mikrobølge effekttransistor | nb_NO |
dc.title.alternative | Microwave Power HEMT Transistor Modelling | nb_NO |
dc.type | Master thesis | nb_NO |
dc.source.pagenumber | 60 | nb_NO |
dc.contributor.department | Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Fakultet for informasjonsteknologi, matematikk og elektroteknikk, Institutt for elektronikk og telekommunikasjon | nb_NO |