Modellering av HEMT Mikrobølge effekttransistor
Master thesis
Permanent lenke
http://hdl.handle.net/11250/2369624Utgivelsesdato
2006Metadata
Vis full innførselSamlinger
Sammendrag
Arbeidet med oppgaven gikk ut på å studere ulike kalibreringsmetoder for nettverksanalysator, utarbeidelse av testkort med kalibreringskomponenter. Målinger av DC- og AC-oppførselen til transistoren, for så å benytte programmet Agilent ADS og TOM-modellen til å lage en datamodell for denne transistoren. Det ble også utarbeidet en metode for hvordan man kan gå frem for å utarbeide en datamodell for en transistor. Arbeidet resulterte i en transistormodell som viste tilsynelatende gode egenskaper, og en metode for utarbeidelse av transistormodeller som fungerte godt for den utvalgte transistoren i denne oppgaven.