• norsk
    • English
  • norsk 
    • norsk
    • English
  • Logg inn
Vis innførsel 
  •   Hjem
  • Fakultet for informasjonsteknologi og elektroteknikk (IE)
  • Institutt for elektroniske systemer
  • Vis innførsel
  •   Hjem
  • Fakultet for informasjonsteknologi og elektroteknikk (IE)
  • Institutt for elektroniske systemer
  • Vis innførsel
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Compact Modeling of the Current through Nanoscale Double-Gate MOSFETs.

Holen, Åsmund
Master thesis
Thumbnail
Åpne
348845_COVER01.pdf (46.45Kb)
348845_FULLTEXT01.pdf (967.6Kb)
Permanent lenke
http://hdl.handle.net/11250/2369436
Utgivelsesdato
2009
Metadata
Vis full innførsel
Samlinger
  • Institutt for elektroniske systemer [1842]
Sammendrag
In this thesis a compact drain current model for nanoscale double-gate MOSFETs is presented. The model covers all operation regimes and bias voltages up to 0.4V. The modeling is done using conformal mapping techniques to solve the 2D Laplace equation in sub-threshold, and using a long channel model in strong-inversion. In near threshold, a quasi-Fermi level model which uses empirical constants is used to find the current. A continuous model is found by expressing asymptotes in the sub-threshold and strong inversion regimes, and combining them using a interpolation function. The interpolation function uses a parameter that is decided analytically from the near threshold calculations. The model shows good agreement with numerical simulations for bias voltages below 0.4V and channel lengths bellow 50nm.
Utgiver
Institutt for elektronikk og telekommunikasjon

Kontakt oss | Gi tilbakemelding

Personvernerklæring
DSpace software copyright © 2002-2019  DuraSpace

Levert av  Unit
 

 

Bla i

Hele arkivetDelarkiv og samlingerUtgivelsesdatoForfattereTitlerEmneordDokumenttyperTidsskrifterDenne samlingenUtgivelsesdatoForfattereTitlerEmneordDokumenttyperTidsskrifter

Min side

Logg inn

Statistikk

Besøksstatistikk

Kontakt oss | Gi tilbakemelding

Personvernerklæring
DSpace software copyright © 2002-2019  DuraSpace

Levert av  Unit