Vis enkel innførsel

dc.contributor.advisorOlavsbråten, Mortennb_NO
dc.contributor.authorHennie, Even Heumnb_NO
dc.date.accessioned2014-12-19T13:46:23Z
dc.date.accessioned2015-12-22T11:44:53Z
dc.date.available2014-12-19T13:46:23Z
dc.date.available2015-12-22T11:44:53Z
dc.date.created2011-05-30nb_NO
dc.date.issued2011nb_NO
dc.identifier419834nb_NO
dc.identifierntnudaim:5860
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11250/2370163
dc.description.abstractEffektforsterkere er kritiske komponenter i dagens trådløse kommunikasjonssystemer, og må derfor tilfredsstille mange krav. De siste årene har metoder for å øke effektiviteten til forsterkere, samt design rundt gallium nitrid-transistorer (GaN), fått mye oppmerksomhet. Som følge av dette har det i denne oppgaven blitt sett nærmere på prinsippene bak klasse F og invers klasse F effektforsterkere. Videre har to effektforsterkere, med senterfrekvens ved 2 GHz, blitt designet og realisert rundt en 6 W GaN-transistor fra Cree ved hjelp av simulert load-pull.Designet av forsterkerne ble gjort i Advanced Design System, her ble det brukt en storsignalmodell for transistoren, levert av Cree. Load-pull-simuleringer ble utført for å finne optimale laster for transistoren, og forsterkernes utgangsmatchenettverk ble designet på bakgrunn av disse lastene. Forsterkerne ble realisert på bakgrunn av designene og små- og storsignalmålinger, og målinger med modulert signal ble utført på de realiserte forsterkerne. Målingene viste at det var relativt god korrelasjon mellom disse og simuleringsresultatene. Småsignalmålingene viste at begge forsterkerne hadde lavere S$_{11}$ enn -12 dB over en båndbredde på 0,8 GHz, og at den ene forsterkeren hadde relativt god forsterkning over det samme båndet. Måleresultatene viser at forsterkerne har henholdsvis 8,40 dB og 9,58 dB forsterking, 39,93 dBm og 39,23 dBm utgangseffekt og 58,90 % og 57,76 % power added efficiency ved 1 dB kompresjon. På det meste hadde forsterkerne henholdsvis 40,56 dBm og 40,43 dBm utgangseffekt, dette tilsvarer over 11 W. Videre viste målingene med modulert signal at forsterkerne hadde mindre enn 0,5$^circ$ fasekompresjon for 16 QAM-signaler med 11 dBm gjennomsnittseffekt.Resultatene oppnådd i denne oppgaven viser at forsterkerdesign basert på GaN-teknologi har potensial til å oppnå god effektivitet, samt høy utgangseffekt og/eller stor båndbredde. Resultatene viser også at det er mulig å oppnå gode forsterkerdesign basert på en god storsignalmodell og simulert load-pull.nb_NO
dc.languagenornb_NO
dc.publisherInstitutt for elektronikk og telekommunikasjonnb_NO
dc.subjectntnudaim:5860no_NO
dc.subjectSIE6 elektronikk
dc.subjectRadiosystemer
dc.titleAnalyse og konstruksjon av en harmonisk tunet 6W GaN effektforsterkernb_NO
dc.title.alternativeA 6W GaN power amplifier design with harmonic tuningnb_NO
dc.typeMaster thesisnb_NO
dc.source.pagenumber91nb_NO
dc.contributor.departmentNorges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Fakultet for informasjonsteknologi, matematikk og elektroteknikk, Institutt for elektronikk og telekommunikasjonnb_NO


Tilhørende fil(er)

Thumbnail
Thumbnail

Denne innførselen finnes i følgende samling(er)

Vis enkel innførsel