| dc.description.abstract | Denne masteroppgaven presenterer en karakterisering av GaN GH25 HEMT prosessen produsert av UMS, i tillegg til en simulering av envelope tracking teknikker på GaN og GaAs forsterkere. GaN MMICen er målt ved hjelp av en manuell probestasjon kalibrert med en LRRM på-wafer teknikk. De målte resultatene verifiserer datamodellene opp til 30 GHz. Transistormodellene er mest nøyaktige i området fra 10 GHz til 22 GHz og viser en konservativ ytelse på lavere frekvenser.
Envelope tracking teknikkene gjort på en GaN LNA og en GaAs effektforsterker gir ikke rom for en sammenligning basert på substratmaterialene. Simuleringer er gjort ved bruk av et 4 MHz 16-QAM modulert signal. Begge forsterkerne viser forbedring i PAE, med en faktor på 2. Fordi GaN forsterkeren er lavstøyoptimert, har envelope tracking på denne forsterkeren lite hensikt. GaAs forsterkeren derimot, viser gode resultater med tanke på gain, linearitet og PAE. Forskjellige envelope tracking funksjoner er vist, og PET teknikken viser at spekteret til drainspenningen er mindre enn 50 % ved lik eller en liten kostand til PAE eller linearitet sammenlignet med konvensjonell ET-teknikk. | |
