Vis enkel innførsel

dc.contributor.advisorTangstad, Meretenb_NO
dc.contributor.authorKrokstad, Magnus Austheimnb_NO
dc.date.accessioned2014-12-19T13:28:24Z
dc.date.available2014-12-19T13:28:24Z
dc.date.created2014-08-28nb_NO
dc.date.issued2014nb_NO
dc.identifier741710nb_NO
dc.identifierntnudaim:10832nb_NO
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11250/249534
dc.description.abstractDet antas at 1% av strømmen som går gjennom en ovn som produserer silisiumslegeringer vil gå gjennom chargen mellom elektrodene, resten vil gå gjennom lysbuen som går fra elektroden og til metallbadet. Det er ukjent hvor mye strøm som kan gå gjennom SiC-laget som dannes som kratervegg , enten som følge av at lysbuen treffer veggen eller at strøm går fra elektrode til elektrode gjennom den istede for chargen.Dannelsen av SiC-laget antas å komme bra karbonpartikler som reagerer med SiO (g).Dette arbeidet har undersøkt de elektriske egenskapene til prøver fra SiC-laget fra to ovner, en som produserer MG-Si (Elkem) og en som produserer FeSi (Finnfjord). Prøvene er undersøkt med firepunkts-metoden opp til 1600°C. Atomnummerkontrast-bilder ble også tatt av alle prøvene for å undersøke sammensetningen på SiC-laget.Resistiviteten til prøvene ble funnet i området 0.1 1.0 Ωcm ved omtrent 1600°C, og vil sannsynlig vis være enda lavere ved temperaturene som finnes inni ovnen. Metallinnholdet (FeSi + Si) påvirker høytemperatur-resistiviteten, mens porøsiteten påvirker lavtemperatur-resistivteten.Sammensetningen i prøvene varierte veldig, noe som er tegn på høy inhomogenitet selv innad i prøvene. Både Elkem- og Finnfjord-prøvene var innenfor hverandres standardavvik mtp. Sammensetning, og hovedforskjellen på prøvene fra hver sin ovn viste seg å være strukturen. Selv om posisjonen til Finnfjord-prøvene er kjent er Elkem-prøvenes posisjon ukjent, dette gjør det vanskelig å diskutere strukturen i forhold til posisjon i ovnen. Det ser likevel ut til at SiC-laget ikke kommer fra karbonpartikler reagert med SiO (g).SiC viser seg å være en svært god leder ved høy temperatur. Det er sannsynlig at flere av lysbuene vil gå fra elektrode til SiC-laget og at en merkbar strøm mellom elektrodene vil kunne gå gjennom SiC-søylen som er funnet i midten av ovnen.Det kan ikke trekkes noen endelig konklusjon på hvilken formasjonsmekanisme som danner SiC, men flere mulige mekanismer blir beskrevet.nb_NO
dc.languagenobnb_NO
dc.publisherInstitutt for materialteknologinb_NO
dc.titleElektrisk resistivitet i industrielle SiC-lagnb_NO
dc.title.alternativeElectrical Resistivity of Industrial SiC-Crustsnb_NO
dc.typeMaster thesisnb_NO
dc.source.pagenumber112nb_NO
dc.contributor.departmentNorges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Fakultet for naturvitenskap og teknologi, Institutt for materialteknologinb_NO


Tilhørende fil(er)

Thumbnail
Thumbnail

Denne innførselen finnes i følgende samling(er)

Vis enkel innførsel