• norsk
    • English
  • norsk 
    • norsk
    • English
  • Logg inn
Blar i Institutt for elektroniske systemer på tidsskrift 
  •   Hjem
  • Fakultet for informasjonsteknologi og elektroteknikk (IE)
  • Institutt for elektroniske systemer
  • Blar i Institutt for elektroniske systemer på tidsskrift
  •   Hjem
  • Fakultet for informasjonsteknologi og elektroteknikk (IE)
  • Institutt for elektroniske systemer
  • Blar i Institutt for elektroniske systemer på tidsskrift
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Blar i Institutt for elektroniske systemer på tidsskrift "Nanotechnology"

  • 0-9
  • A
  • B
  • C
  • D
  • E
  • F
  • G
  • H
  • I
  • J
  • K
  • L
  • M
  • N
  • O
  • P
  • Q
  • R
  • S
  • T
  • U
  • V
  • W
  • X
  • Y
  • Z
  • Æ
  • Ø
  • Å

Sorter på:

Rekkefølge:

Resultater:

Viser treff 1-3 av 3

  • Tittel
  • Utgivelsesdato
  • Registreringsdato
  • Forfatter
  • stigende
  • synkende
  • 5
  • 10
  • 20
  • 40
  • 60
  • 80
  • 100
    • Effect of surface roughness, chemical composition, and native oxide crystallinity on the orientation of self-assembled GaN nanowires on Ti foils 

      Calabrese, G; Pettersen, Sverre Vegard; Pfuller, C; Ramsteiner, M; Grepstad, Jostein; Brandt, O; Geelhaar, L; Fernandez-Garrido, S (Journal article; Peer reviewed, 2017)
      We report on plasma-assisted molecular beam epitaxial growth of almost randomly oriented, uniformly tilted, and vertically aligned self-assembled GaN nanowires (NWs), respectively, on different types of polycrystalline Ti ...
    • Epitaxially grown III-arsenide-antimonide nanowires for optoelectronic applications 

      Ren, Dingding; Ahtapodov, Lyubomir; Van Helvoort, Antonius; Weman, Helge; Fimland, Bjørn-Ove (Journal article; Peer reviewed, 2019)
      Epitaxially grown ternary III-arsenide-antimonide (III-As–Sb) nanowires (NWs) are increasingly attracting attention due to their feasibility as a platform for the integration of largely lattice-mismatched antimonide-based ...
    • Vertical GaN nanocolumns grown on graphene intermediated with a thin AlN buffer layer 

      Liudi Mulyo, Andreas; Rajpalke, Mohana Krishnappa; Kuroe, Haruhiko; Vullum, Per-Erik; Weman, Helge; Fimland, Bjørn-Ove; Kishino, Katsumi (Journal article; Peer reviewed, 2018)
      We report on the self-assembled growth of high-density and vertically-oriented n-doped GaN nanocolumns on graphene by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy. Graphene was transferred to silica glass, which ...

      Kontakt oss | Gi tilbakemelding

      Personvernerklæring
      DSpace software copyright © 2002-2019  DuraSpace

      Levert av  Unit
       

       

      Bla i

      Hele arkivetDelarkiv og samlingerUtgivelsesdatoForfattereTitlerEmneordDokumenttyperTidsskrifterDenne samlingenUtgivelsesdatoForfattereTitlerEmneordDokumenttyperTidsskrifter

      Min side

      Logg inn

      Kontakt oss | Gi tilbakemelding

      Personvernerklæring
      DSpace software copyright © 2002-2019  DuraSpace

      Levert av  Unit